UltraRAM: Хранение данных на протяжении 1000 лет
Технология UltraRAM компании Quinas Technology, обеспечивающая 10 миллионов перезаписей и сохранность данных в течение 1000 лет, приближается к реализации благодаря финансированию в размере 1,1 миллиона фунтов стерлингов из Великобритании.
В прошлом году была запущена новая инициатива под названием Quinas Technology, направленная на более эффективную разработку UltraRAM — передовой технологии памяти, разработанной экспертами из университетов Ланкастера и Уорика. Сейчас Quinas и британская полупроводниковая компания IQE, активно участвовавшие в разработке UltraRAM, получили финансовую поддержку от Великобритании в размере 1,1 миллиона фунтов стерлингов. Это финансирование критически важно для дальнейшего внедрения технологии.
UltraRAM на подходе
Используя преимущества стандартов памяти DRAM и NAND, UltraRAM обещает значительно увеличить срок хранения данных до 1000 лет по сравнению с традиционными решениями. Эта новая память способна функционировать без внешнего питания и обеспечивает 10 миллионов циклов перезаписи. UltraRAM также обеспечивает скорость записи и чтения, сопоставимую с DRAM.
С другой стороны, финансовая поддержка в размере 1,1 миллиона фунтов стерлингов поступает от Innovate UK, агентства поддержки технологий британского правительства. Основная цель этой поддержки — перевести технологию из лабораторных исследований на стадию массового производства. Большая часть финансирования будет направлена на расширение производства слоистых составных полупроводников в IQE. В рамках этого процесса пластины UltraRAM планируют масштабировать с 3 до 6 дюймов.
Технология памяти UltraRAM использует три различных слоя, изготовленных из материалов, которые способны захватывать электроны. Использование электродов вокруг этих слоев для управления потоком электронов снижает износ ячейки памяти и увеличивает количество циклов записи. Несмотря на перспективы, UltraRAM пока остается лишь прототипом из-за сложности конструкции и не готов к массовому производству. Однако новое финансирование и поддержка должны способствовать прогрессу в этом направлении.